(19)国家知识产权局
(12)发明 专利申请
(10)申请公布号
(43)申请公布日
(21)申请 号 202210559152.X
(22)申请日 2022.05.22
(71)申请人 北京化工大 学
地址 100029 北京市朝阳区北三环东路15
号
(72)发明人 王维民 高黎明 户东方
(74)专利代理 机构 北京思海天达知识产权代理
有限公司 1 1203
专利代理师 王兆波
(51)Int.Cl.
G06F 30/23(2020.01)
G06F 119/04(2020.01)
G06F 119/08(2020.01)
(54)发明名称
一种基于功率损耗数学模型及有限元方法
的IGBT模块寿命预测方法
(57)摘要
本发明公开了一种基于功率损耗数学模型
及有限元方法的I GBT模块寿命预测方法, 通过建
立IGBT的功率损耗数学模型, 计算获得模块功率
损耗, 借助有限元仿真软件, 迭代计算获得芯片
结温, 进一步获得IGBT模块的整体热应力分布,
最后导入nCodeDesignlife软件, 实现IGBT模块
的寿命预测计算。 本发明基于数学解析及有限元
仿真的方法, 验证过程借助有限元软件完成, 而
不需要改变或破坏相应器件的内部结构, 从而对
人力物力的消耗较小。
权利要求书1页 说明书6页 附图3页
CN 115081268 A
2022.09.20
CN 115081268 A
1.一种基于功率损耗数学模型及有限元方法的IGBT模块寿命预测方法, 其特征在于,
包括以下步骤:
(1)根据IGBT结构、 功能及服役工况确定IGBT模块的功率损耗模型;
(2)初步确定负载电流 Ic和芯片结温Tj1, 计算获得IGBT芯片的功率损耗;
(3)建立IGBT模块有限元模型, 根据所述功率损耗计算获得IGBT芯片结温Tj2;
(4)判断步骤(3)计算结 温Tj2是否等于步骤(2)所述结 温Tj1, 若不相等, 根据新的芯片结
温, 重复步骤(2), 步骤(3), 直至步骤(3)计算结果 等于步骤(3)结温, 获得最终芯片结温;
(5)由最终芯片结温, 计算获得IGBT模块的热应力;
(6)根据模块热应力, 计算获得IGBT模块的累积损伤模型和寿命预测模型。
2.根据权利要求1所述的一种IGBT基于功率损耗数学模型及有限元仿真的寿命预测方
法, 其特征在于, 所述的功率损耗模型为:
Ploss=Pcon+Psw
式中, Ploss为芯片总功率损耗, Pcon为芯片通态损耗, Psw为芯片开关损耗, Ic为模块负载
电流, Tj为芯片结温, Vce0_22℃为使用手册中室温22℃的门槛压降, KV_T为电压温度系数,
rce_22℃为使用手册中室温22℃下的导通电阻, Kr_T为电阻温度系数, fsw为IGBT固定开关频
率, Asw和Bsw为使用手册中的待定系数, Vdc为模块直 流电压, Vdc_ref为模块参 考电压,
为模
块经验参数, 取值范围为1.3~1.4, Rg为模块栅极电阻, Rg_ref为模块参考电阻,
为模块经
验参数, 取值 为0.8, Tj_ref为IGBT参考结温,
为模块经验参数, 取值 为0.003。
3.根据权利要求1所述的一种IGBT基于功率损耗数学模型及有限元仿真的寿命预测方
法, 其特征在于, 对基于功率损耗模型和有限元仿真计算获得的芯片 结温Tj2和初步结温Tj1
进行比较, 若二者不相等, 将Tj2代入功率损耗模型, 重新迭代计算功率损耗及芯片结温, 直
至二者相等。
4.根据权利要求1所述的一种IGBT基于功率损耗数学模型及有限元仿真的寿命预测方
法, 其特征在于, 芯片结温Tj由有限元 方法计算获得, 且表示 为芯片表面 最高温度;
5.根据权利要求1所述的一种IGBT基于功率损耗数学模型及有限元仿真的寿命预测方
法, 其特征在于, 将所述热应力模型导入nCode Designlife软件中计算获得疲劳寿命。权 利 要 求 书 1/1 页
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CN 115081268 A
2一种基于功率 损耗数学模型及有限元方 法的IGBT模块寿命 预
测方法
技术领域
[0001]本发明属于功率电子元器件可靠性试验技术领域, 具体涉及一种融合了功率损耗
数学模型和有限元仿真的IGBT模块结温预测 和寿命评估方法。
背景技术
[0002]绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为全控型电力电子器件, 兼具功率场效应晶体管
(MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)的优点。 它 作为电能变换装置的核心部件, 具有开关速度
快、 开关损耗小、 耐受脉冲电流能力强、 通态压降低、 驱动功 率小等特点, 因此广泛应用于航
空航天、 电磁发射、 海上运输、 轨道交通 等领域, 具有不可替代的地 位和作用。
[0003]在轨道交通领域, IGBT主要是作为牵引变流器的核心半导体器件, 起维持牵引变
流器复杂工况稳定的作用。 与其他工业用IGBT相比, 轨道交通用的IGBT模块主要为3300V、
4500V和6000V的高压大功率器件。 兼之轨道列车的特殊工作环境, IGBT模块长期处于环境
温度变化大, 电流变化快, 持续受到轨道传递的振动与冲击载荷的复杂工况下, 使 得模块在
承受不均衡的电热应力的同时, 受到机械应力的影响, 进一步加剧了IGB T模块的失效。 相关
研究人员表示, 服役于铁路牵引系统的IGBT模块的失效寿命应该至少为30年, 失效率不能
超过100FIT(1FIT=109h‑1)[4]。 并且IGBT器件的发展趋势是功率密度更大、 开关频率更高、
体积更小。 这一趋势将对IGBT器件可靠性有了更高的要求, 使得电能变换装置可靠性和
IGBT模块 疲劳失效的矛盾日益 突出。 因此, 对IGBT 模块进行寿 命预测是很有必要的。
[0004]针对IGBT模块的有限元分析能准确计算模块温度分布, 进而能获得IGBT模块精确
的热应力分布。 将利用有限元方法计算的热应力导入nCode Designlife软件中, 进而获得
IGBT模块的累积损伤模 型和寿命预测模 型。 有效解决了传统采用实验法获得IGB T模块寿命
预测模型以及对人力物力要求较高的弊端。
[0005]对比文件:
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专利 一种基于功率损耗数学模型及有限元方法的IGBT模块寿命预测方法
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