(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202221670170.7 (22)申请日 2022.06.29 (73)专利权人 昆山协鑫光电材 料有限公司 地址 215300 江苏省苏州市昆山市玉山 镇 玉杨路366号6号房 (72)发明人 黄志锋　陈伟中　田清勇　范斌　 (74)专利代理 机构 南京利丰知识产权代理事务 所(特殊普通 合伙) 32256 专利代理师 赵世发 (51)Int.Cl. G01N 21/89(2006.01) G01N 21/01(2006.01) (54)实用新型名称 钙钛矿薄膜缺陷检测装置 (57)摘要 本实用新型公开了一种钙钛矿薄膜缺陷检 测装置， 包括： 传送单元， 传送单元用于沿第一方 向传送制样； 检测单元， 检测单元包括暗室、 图像 采集机构以及激发光源， 图像采集机构以及激发 光源设置于暗室内， 暗室朝向传送单元的一侧设 置有开口， 激发光源至少用于提供短波光束并以 短波光束对传送单元上的制样进行辐 照； 图像采 集机构包括相机， 激发光源的辐照方向与相机的 镜头方向呈角度设置。 本实用新型 实施例提供的 一种钙钛矿薄膜缺陷检测装置， 在检测时与制样 不接触、 不破坏， 不仅能够对不同规格的制样进 行缺陷检测， 且检测时单次拍摄、 一次成像， 还能 够在减少工序节约、 提高工作效率的同时， 使得 检测结果更加准确。 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 CN 218067683 U 2022.12.16 CN 218067683 U 1.一种钙钛矿薄膜缺陷检测装置， 其特 征在于， 包括： 传送单元(1)， 所述传送单 元(1)用于沿第一方向传送制样； 检测单元(2)， 所述检测单元(2)包括暗室、 图像采集机构以及激发光源(23)， 所述图像 采集机构以及激发光源(23)设置于所述暗室内， 所述暗室朝向所述传送单元(1)的一侧设 置有开口， 所述激发光源(23)至少用于提供短波光束并以所述短波光束对所述传送单元 (1)上的制样进行辐照； 所述图像采集机构包括用于收集制样被辐照后激发出的光子并以所述光子生成数码 图像的相机， 所述激发光源(23)的辐照方向与所述相机(2 2)的镜头方向呈角度设置 。 2.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜缺陷检测装置， 其特征在于， 所述图像采集机构还 包括图像处 理机构， 所述图像处 理机构用于对薄膜质量的进行均匀性及缺陷杂质的分析。 3.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜缺陷检测装置， 其特征在于， 所述图像采集机构包 括多个相机(22)， 多个所述相机(22)沿第二方向间隔设置， 所述第二方向和所述第一方向 垂直。 4.根据权利要求3所述的钙钛矿薄膜缺陷检测装置， 其特征在于， 多个所述相机(22)等 间距设置， 且多个所述相机(2 2)与同一激发光源(23)对应设置 。 5.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜缺陷检测装置， 其特征在于， 所述检测单元(2)包 括检测箱(21)， 所述暗室设置在所述检测箱(21)内， 所述检测箱(21)内还设置有滑轨(24)， 至少一个所述相机(2 2)能够沿第二方向与所述滑轨(24)活动连接 。 6.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜缺陷检测装置， 其特征在于， 所述检测单元(2)还 包括高通滤光片(3)， 所述高通滤光片(3)设置在所述相机(2 2)的镜头上。 7.根据权利要求6所述的钙钛矿薄膜缺陷检测装置， 其特征在于， 所述高通滤光片(3) 的波长在70 0nm至900nm。 8.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜缺陷检测装置， 其特征在于， 所述激发光源(23)的 波长在40 0nm至500nm。 9.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜缺陷检测装置， 其特征在于， 还包括低通滤光片 (4)， 所述激发光源(23)经 所述低通滤光片(4)辐照所述制样。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 218067683 U 2钙钛矿薄膜缺陷检测装 置 技术领域 [0001]本实用新型涉及一种检测装置， 特别涉及一种钙钛矿薄膜缺陷检测装置， 属于钙 钛矿薄膜缺陷检测技 术领域。 背景技术 [0002]目前， 越来越多的钙钛矿太阳能研究者和企业致力于将钙钛矿太阳能电池产业化 推广应用。 钙钛矿太阳能电池实验室尺寸大小规格的电池的光电转换效率已经达到 25.6％， 超 过了多晶硅电池的实验室 效率， 离单晶硅的实验室 效率26.5％相差不大。 这给钙 钛矿研究工作者很大 的信心将这一类电池推 向产业化。 提升钙钛矿电池组件效率， 最主要 的方向是提高钙钛矿薄膜吸 收层的结晶质量。 [0003]但是， 现阶段对于钙钛矿薄膜吸收层的检测手段主要通过SEM、 XRD等表征设备进 行检测， 但其局限于实验室的规模尺寸且设备成本昂贵， 限制 了检测在自动生产线上 的应 用。 且SEM和XRD等表征设备， 不仅需要对制样进 行破坏制样且检测面积小， 不能反映整个薄 膜的均匀性问题， 同时受到制样尺寸大小的限制， 部分缺陷会被掩盖， 难以被发现。 实用新型内容 [0004]针对现有技术的不足， 本实用新型的主要目的在于提供一种钙钛矿薄膜缺陷检测 装置， 用以解决检测装置受制样尺寸限制， 导 致检测结果 不准确的的问题。 [0005]为实现前述实用新型目的， 本实用新型采用的技 术方案包括： [0006]本实用新型实施例提供了一种钙钛矿薄膜缺陷检测装置， 包括： 传送单元， 所述传 送单元用于沿第一方向传送制样； [0007]检测单元， 所述检测单元包括暗室、 图像采集机构以及激 发光源， 所述图像采集机 构以及激发光源设置于所述暗室内， 所述暗室朝向所述传送单元 的一侧设置有开口， 所述 激发光源至少用于提供短波光束并以所述短波光束对所述传送单 元上的制样进行辐照； [0008]所述图像采集机构包括用于收集制样被辐照后激发出的光子并以所述光子生成 数码图像的相机， 所述激发光源的辐照方向与所述相机的镜 头方向呈角度设置 。 [0009]与现有技术相比， 本实用新型的优点包括： 本实用新型实施例提供的一种钙钛矿 薄膜缺陷检测装置， 在检测时与制样不接触、 不破坏， 不仅能够 对不同规格的制样进 行缺陷 检测， 且检测时单次拍摄、 一次成像， 还能够在 减少工序 节约、 提高工作效率的同时， 使 得检 测结果更加准确。 附图说明 [0010]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案， 下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本 申请中记载的一些实施例， 对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根据这些附图获得其 他的附图。说　明　书 1/4 页 3 CN 218067683 U 3